近年来，中国紧跟科学技术迅猛发展的步伐，加快落实中国高科技发展战略，推动高新技术及其产业化进程，一些领域与世界发达国家的差距正在缩小。根据规划，到2025年我国将力争实现第三代半导体技术在全球领先，产业规模达到全球第一；到2030年全产业链达到国际先进水平，核心器件国产化率超过70%。我国第三代半导体应用领域有基础、有优势，创新发展时机成熟，已实现由“跟跑”到“领跑”，正在向实现产业强国的目标迈进。
光电子器件是信息光电子技术领域的核心，是构建我国现代高速信息网络的重要基础。1987年，科技部批复成立集成光电子学国家重点联合实验室（清华大学、中国科学院半导体研究所、吉林大学），是主攻信息光电子器件技术研究方面的核心学术群体，目前已成长为国内从事光电子材料与器件及其在光纤通信与网络中的应用技术的主要研究基地，在许多重要的研究领域取得了突出成果，产生了较强的国际影响，为光电子学领域各研究单位和企业界培养了大量科研人才。
经过20多年的高速发展，我国第三代半导体光电芯片全产业链相对完善，且已具备全创新链研发能力，实现了由“单点增长”到“全面增效”的产业链迭代升级，以新材料驱动半导体发展新战略、超前布局，抢占未来制高点，构建全球半导体产业竞争新格局，在设计、工艺、装备、封测、标准等方面具有前沿的技术和产业基础，目前我国第三代半导体产业全链条已进入世界先进行列。
Micro LED是新一代显示技术，具有体积小、分辨率高、亮度高、响应速度快、功耗低、使用寿命长等优点，是综合性能优良的显示技术，全球多家企业积极进行布局，拉动Micro LED芯片需求呈现上升态势。Micro LED芯片技术壁垒高于其他LED芯片，产品价值量更高。元旭半导自研全新NSIA异质异构集成芯片架构，重新定义Micro LED芯片结构，助推LED产业由分立器件时代步入集成显示芯片时代。随着瓶颈问题得到突破，Micro LED实现规模化量产，Micro LED芯片需求提升，产业链快速迭代升级，具备批量化生产、产品性能可靠、得到客户认可的Micro LED芯片企业将具备先发优势。
